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TrendForce:3月底武漢新芯新廠破土儀式,中國NAND Flash產業邁入新紀元
 
中國記憶體大廠武漢新芯新建記憶體晶圓廠將從本月底開始進行建廠工程,目標最快在2018年年初開始生記憶體晶片,初期規劃將以目前最先進的3D-NAND Flash為主要策略產品,代表了近兩年來中國極力發展記憶體產業的態勢下,將開始進入新的里程碑。TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange研究協理楊文得指出,現階段武漢新芯主要以生產NOR Flash為主,月產能約為2萬片左右,在NAND Flash產業也展現強大的企圖心。
 
TrendForce:中國半導體業者投資NAND Flash企圖旺盛,產業布局牽動影響深遠
 
隨著清華紫光投資NAND Flash儲存相關公司的腳步加快,以及中國半導體業者在NAND Flash產業鏈的佈局日趨完整,中國業者在NAND Flash產業地位也越發關鍵。
 
TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange研究協理楊文得表示,雖然NAND Flash短期內受到供過於求的影響呈現較為疲軟的格局,但長遠來看,NAND Flash的相關應用成長依舊快速。SSD與eMMC在各種電子產品的能見度越來愈高,NAND Flash成為未來儲存產業與記憶體的重要發展核心的態勢已然確立,因此對於中國半導體業的吸引力也逐漸增加,TrendForce預期未來2-3年內中國半導體業者在NAND Flash產業的重要性將與日俱增。
 
楊文得表示,中國半導體業者在NAND Flash的佈局手法日益細膩,根據產業鏈各自不同公司的定位有著不同的方式,佈局大致可以分成五個面向:
TrendForce:武漢新芯確定統籌中國DRAM產業發展,將匯集三大技術成為中國重要記憶體晶片基地
 
2014年10月14 日中國工信部宣布國家積體電路產業投資基金(中國簡稱大基金)成立,進軍DRAM領域成為中國半導體計畫的第一步。期間經過中國六大地方政府競逐DRAM生產基地,各地方政府也努力的尋找技術、人力、財力及資源,希望躋身為中國半導體領域的重要省分。經過激烈的競爭,直至近日,中國工信部電子信息司司長丁文武主導的半導體小組屬意武漢新芯成為中國DRAM產業發展計畫的首要重點區域,未來可能由趙海軍領軍並以武漢新芯做為增資平台。TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange指出,除了大基金外,中芯國際、湖北省科技投資集團、湖北基金、華芯投資等都會投資,遠期計畫要募集到240億美元的規模,長期產能目標達每月30萬片 ,正式展開中國DRAM產業發展的計畫。 
 
武漢新芯將匯集DRAM、3D NAND與NOR三大技術成為未來中國重要的記憶體晶片產業基地 
 
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