2013年LPDDR2 出貨比重穩居七成,成本優勢將成為獲利關鍵

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根據 TrendForce 旗下研究部門 DRAMeXchange 調查,行動式記憶體受惠於智慧型手機與平板電腦等行動裝置出貨持續成長,在記憶體產業中的總產出比重也從 2010 年的 11% 逐年提升,預計 2012 年行動式記憶體的產出比重將提升到 21%,到 2013 年將更進一步提升到 24%。其中LPDDR2的產品因為主晶片規格提升後需求量也將增加,今年第二季價格追平 LPDDR1 後,LPDDR2 在行動式記憶體總出貨量達六成以上,確立在行動式記憶體的主流地位。展望 2013 年,LPDDR2 出貨將可望拉升到行動式記憶體七成以上的比重,次時代行動式記憶體 LPDDR3 也會在明年嶄露頭角並應用在一些高階商品上面,各家記憶體製造商能否在主流產品上精確掌握生產成本以及善用多樣化的產品組合將成為獲利的關鍵。

從需求面觀察,隨著 SoC (System on Chip)的規格不斷提升,明年智慧型手機搭載的主晶片將以雙核與四核心為主。由於主晶片需要搭配 LPDDR2 以上的規格才能發揮最佳的運算效能,因此 2013 年 LPDDR1 的需求將會逐步下滑,並降至整體行動式記憶體產出量的兩成以下,且記憶體供應商在 LPDDR1 的產能持續轉移至 LPDDR2,供貨減少下,續用 LPDDR1 的手機製造商將會有更大的備料壓力。而高階的智慧型手機、平板電腦及Ultrabook機種雖可導入 LPDDR3 作為記憶體配備,然僅有高階機種出貨量仍不足以拉動整體 LPDDR3 的需求,在總量尚未提升至一定水準之前,LPDDR3 與 LPDDR2 的價格差距不易縮短,因此 2013 年 LPDDR2 仍然會穩居行動式記憶體市場主流,LPDDR3 成為主流最快也要至 2014 年下半年。

從供給面觀察,目前市場上可以提供 LPDDR2 記憶體顆粒的製造商主要有四家:三星半導體、SK 海力士、爾必達記憶體以及美光科技。自生產技術觀察,目前三星半導體的行動式記憶體產品製程除了 LPDDR1 以外,皆已悉數轉進至 35nm 製程,SK 海力士主流製程為 38nm,爾必達在 LPDDR2 製程與美光同為 30nm,因此各家廠商在單顆粒產出的效率與技術可謂不相上下,且各家廠商對於2x奈米製程進度轉趨保守,2013 年上半年 3x 奈米仍然會是主流生產技術。若進一步討論單顆粒容量大小(mono die density),四家主要行動式記憶體供應商的 LPDDR2 mono die 在 2013 年主流的單位容量顆粒應是 4Gb,因此在成品容量的搭配上也是大同小異,例如多晶片封裝(MCP)的多元組合產品以及創造產品差異化,將會是各家廠商嚴肅的課題。

綜觀 2013 年的行動式記憶體市場,雖然有智慧型手機與各種行動裝置帶來穩定的成長,然而記憶體供應面在標準型記憶體的產能大舉轉向行動式記憶體的情況下,想達到穩定的供需平衡實屬不易。供過於求的情況將反應在每季行動式記憶體的價格降幅上,因此成本結構的考驗相當嚴酷。當各家記憶體供應商在技術上已經不易拉出更大差距的情況下,獲利的關鍵就在於精確掌握生產成本、提高生產良率以及善用多樣化的產品組合,才能在競爭激烈的記憶體市場中搶下一席之地。

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